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院系/所/中心 （School） |
信息工程學(xué)院 |
| 合作導(dǎo)師（Mentor） | 陸磊助理教授/博士生導(dǎo)師 |
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研究專業(yè)/方向 （Department/Area） |
薄膜晶體管器件與電路/柔性電子器件/半導(dǎo)體顯示 |
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年薪標(biāo)準(zhǔn) （AnnualSalary） |
聘期待遇（33萬/年起：含深圳市政府18萬補(bǔ)助，優(yōu)秀候選人薪資可面談） 1、北京大學(xué)深圳研究生院待遇： a)基本工資：稅前12萬； b)績(jī)效獎(jiǎng)金：課題組每年根據(jù)工作成果給予績(jī)效獎(jiǎng)金，稅前3萬，按照成果水平調(diào)整； c)科研獎(jiǎng)勵(lì)：享受北京大學(xué)深圳研究生院科研獎(jiǎng)勵(lì)辦法相關(guān)規(guī)定待遇； d)科研項(xiàng)目申請(qǐng)：在站期間可申請(qǐng)各級(jí)科研課題資助（需符合課題申報(bào)條件）； e)可申請(qǐng)租住校內(nèi)單人間博士后宿舍和教師公寓（根據(jù)家庭成員數(shù)目可申請(qǐng)單間/兩房/三房）。 2、深圳市政府補(bǔ)助：依據(jù)深圳市相關(guān)政策（以最新政策為準(zhǔn)） a)進(jìn)站資助:開題、中期考核合格，可按規(guī)定申請(qǐng)深圳市博士后生活補(bǔ)貼18萬/年； b)后續(xù)資助:出站后留深工作可申請(qǐng)30萬元科研啟動(dòng)經(jīng)費(fèi)。若出站后達(dá)到深圳市后備級(jí)高層次人才標(biāo)準(zhǔn)或海外高層次人才“孔雀計(jì)劃”C類，將享受160萬資助。其他相關(guān)人才計(jì)劃若適用，亦參照?qǐng)?zhí)行。 3、博士后人員進(jìn)站，可自愿選擇落戶深圳市。選擇落戶深圳市的，其配偶及未成年子女可辦理隨遷入戶。博士后子女入托、入學(xué)等按深圳市相關(guān)條例執(zhí)行。博士后出站，可推薦深造或推薦企業(yè)工作。 |
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職位描述 （PositionDescription） |
1.非晶金屬氧化物半導(dǎo)體材料的特性研究及優(yōu)化； 2.基于氧化物半導(dǎo)體的薄膜器件（晶體管、肖特基二極管等）研究； 3.薄膜晶體管電路的設(shè)計(jì)和研制； 4.光電、壓電等傳感器的研究； 5.柔性顯示和柔性傳感系統(tǒng)的研究。 |
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候選人基本條件 （BasicQualifications） |
1.具有半導(dǎo)體材料、微電子器件或電路設(shè)計(jì)的專業(yè)基礎(chǔ)； 2.在半導(dǎo)體材料/薄膜器件/傳感器/柔性電子/平板顯示等至少一個(gè)方面有過研究經(jīng)驗(yàn)，其它方面有充分了解。 3.具有熟練采用英語寫作學(xué)術(shù)論文的能力。 4.有較強(qiáng)的分析問題和解決問題的能力，有一定項(xiàng)目組織能力。 |
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候選人附加條件 (AdditionalQualifications) |
無 |
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申請(qǐng)材料 （ApplicantDocuments） |
1.個(gè)人簡(jiǎn)歷（包括個(gè)人概況、學(xué)習(xí)科研經(jīng)歷、科研興趣）； 2.論文目錄、代表性論文、博士論文、獲獎(jiǎng)證書等復(fù)印件； 3.學(xué)歷、學(xué)位證書復(fù)印件（或答辯通知）； |
| 聯(lián)系人（ContactInformation） |
王云萍科研助理wangyunping@pku.edu.cn 應(yīng)聘者請(qǐng)?zhí)峁┮陨仙暾?qǐng)材料發(fā)送至郵箱，郵件標(biāo)題請(qǐng)注明：“應(yīng)聘工程師/科研助理-姓名”。 |
| 備注（Remark） | 準(zhǔn)備10分鐘PPT，用于網(wǎng)絡(luò)面試時(shí)介紹個(gè)人情況及工作規(guī)劃。 |
| 截止時(shí)間（DueDate） | 2021年12月31日或招聘名額用完為止。 |
http://www.ece.pku.edu.cn/info/1007/2520.htm
為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）
中國(guó)-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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