一、申請條件

1.遵守中華人民共和國法律法規(guī)，具有良好的科學(xué)道德，自覺踐行新時代科學(xué)家精神；

2.出生日期在1985年1月1日（含）以后；

3.具有博士學(xué)位；

4.研究方向主要為自然科學(xué)、工程技術(shù)等；

5.在取得博士學(xué)位后至2025年9月15日前，一般應(yīng)在海外知名高校、科研機構(gòu)、企業(yè)研發(fā)機構(gòu)獲得正式教學(xué)或者科研職位，且具有連續(xù)36個月以上工作經(jīng)歷；在海外取得博士學(xué)位且業(yè)績特別突出的，可適當(dāng)放寬工作年限要求，在海外工作期間，同時擁有境內(nèi)帶薪酬職位的申請人，其境內(nèi)帶薪酬職位的工作年限不計入海外工作年限；

6.取得同行專家認(rèn)可的科研或技術(shù)等成果，且具有成為該領(lǐng)域?qū)W術(shù)帶頭人或杰出人才的發(fā)展?jié)摿Γ?/p>

7.申請人尚未全職回國（來華）工作，或者2024年1月1日以后回國（來華）工作。獲資助通知后須辭去海外工作并全職回國（來華）工作不少于3年。

詳細(xì)申報條件請參見網(wǎng)址：

*國家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項目（海外）項目指南（新增批次）

二、待遇保障

研究所誠邀半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域，包括凝聚態(tài)物理、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理、半導(dǎo)體材料與器件、半導(dǎo)體光電子學(xué)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、物理電子學(xué)、集成電路科學(xué)與工程、光學(xué)工程、電路與系統(tǒng)、電子信息、材料與化工等學(xué)科方向的優(yōu)秀青年人才加入，并給予國家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項目（海外）入選者如下崗位待遇：

1.聘任為研究員（正高級編制崗位)、博士生導(dǎo)師�？杉尤虢ㄖ苹瘒�家級研究團(tuán)隊，或獨立設(shè)立課題組、研究所協(xié)助建立研究團(tuán)隊。

2.900萬元以上的科研經(jīng)費（含項目評估優(yōu)秀追加200萬元）。

3.提供具有國際競爭力的薪酬待遇。

4.除國家和中國科學(xué)院100萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。

5.其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房，提供直至退休的人才長租房政策；按照相關(guān)政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學(xué)等。

三、研究所介紹

1956年，在新中國首個中長期科學(xué)技術(shù)發(fā)展的綱領(lǐng)性文件——《1956-1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被確立為國家新技術(shù)發(fā)展的四大緊急措施之一。為奠定中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)研究的基石、構(gòu)建系統(tǒng)化的研發(fā)體系，我國于1960年9月在北京成立中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，開啟了中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。

建所65年來，半導(dǎo)體研究所在我國半導(dǎo)體科技發(fā)展的各個歷史階段均做出了重大貢獻(xiàn)，取得了令人矚目的成就：中國第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺硅單晶爐、區(qū)熔爐等，均誕生于半導(dǎo)體研究所。研究所共獲得國家級獎勵近40項，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學(xué)技術(shù)獎。

半導(dǎo)體研究所作為集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)應(yīng)用為一體的國家級綜合性研究機構(gòu)，擁有兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室、半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國重點實驗室；兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；一個院級實驗室——中國科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室；還設(shè)有納米光電子實驗室、人工智能與高速電路實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室、寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心和元器件檢測中心。現(xiàn)有職工700余人，其中包括中國科學(xué)院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引進(jìn)人才計劃入選者53人，國家級領(lǐng)軍人才計劃入選者28人，國家級青年人才計劃入選者19人。研究所設(shè)有3個博士后流動站，擁有8個學(xué)術(shù)型學(xué)科專業(yè)博士和碩士培養(yǎng)點，以及2個專業(yè)學(xué)位領(lǐng)域培養(yǎng)點。作為中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學(xué)與工程”學(xué)科入選國家一流學(xué)科。

研究所科研條件支撐平臺

研究所構(gòu)建了覆蓋半導(dǎo)體研發(fā)制造全鏈條的國際一流設(shè)施和技術(shù)體系，涵蓋材料仿真、分子束外延生長、納米光刻、等離子刻蝕、先進(jìn)封裝及晶圓級測試等全流程能力，包括：從原子級到系統(tǒng)級半導(dǎo)體材料與器件仿真，從分子束外延到納米級電子束光刻系統(tǒng)，從等離子體刻蝕系統(tǒng)到晶圓級先進(jìn)封裝，以及完備的材料表征實驗室和晶圓級測試平臺。研究所現(xiàn)有百級/千級超凈實驗室總面積逾6000平方米，大型半導(dǎo)體設(shè)備種類齊全，可制備III-V族化合物、寬禁帶以及硅基等多種先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件，工作波長覆蓋紫外、可見光、紅外、太赫茲至微波波段，形成了“機理-設(shè)計-制造-封裝-測試”五位一體的完整研發(fā)閉環(huán)，可為微電子和光電子系統(tǒng)提供從原型開發(fā)到小批量試制的全周期支撐。

光電子材料與器件全國重點實驗室

使命定位：面向光電子材料與器件前沿領(lǐng)域，聚焦異質(zhì)異構(gòu)集成、多維光電調(diào)控與多功能一體化等關(guān)鍵技術(shù)，開展前瞻性與原創(chuàng)性研究，構(gòu)建“產(chǎn)-學(xué)-研”融合科技攻關(guān)聯(lián)合體，滿足國家光通信領(lǐng)域?qū)Ω叨斯怆娮硬牧吓c器件的重大需求。

特色成果：長期深耕光電子材料與器件前沿，構(gòu)建了貫穿半導(dǎo)體光電子“機理-材料-芯片-器件-應(yīng)用”全鏈條研發(fā)體系。材料體系涵蓋InP、GaAs、GaSb、硅基、鐵電等Ⅲ-Ⅴ族化合物及新型半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體激光器、調(diào)制器、探測器及光子集成等核心光電子材料與器件領(lǐng)域長期處于國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。目前已經(jīng)形成從材料外延、器件制備、芯片集成、封裝測試到系統(tǒng)應(yīng)用的自主可控技術(shù)體系，是我國光電子材料與器件領(lǐng)域的核心研究單元。

四、聯(lián)系人及聯(lián)系方式：

聯(lián)系人：李明

聯(lián)系郵箱：ml@semi.ac.cn

電話：010-82304347

五、半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國重點實驗室

使命定位：在極限尺度半導(dǎo)體器件的物理源頭進(jìn)行理論創(chuàng)新，突破后摩爾時代半導(dǎo)體芯片的物理與技術(shù)瓶頸，構(gòu)建突破極限尺度半導(dǎo)體器件關(guān)鍵物理瓶頸的原創(chuàng)理論與技術(shù)方案，聯(lián)合企業(yè)開展關(guān)鍵技術(shù)示范驗證，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供源頭和底層創(chuàng)新支撐。

特色成果：半導(dǎo)體物理領(lǐng)域唯一全國重點實驗室，在能帶理論、低維半導(dǎo)體、自旋器件等方面形成優(yōu)勢特色并做出重大歷史貢獻(xiàn)，獲國家最高科學(xué)技術(shù)獎1項、國家自然科學(xué)二等獎5項，正在建設(shè)國際半導(dǎo)體物理人才高地，年均經(jīng)費1.2億元。

聯(lián)系人：駱軍委

聯(lián)系郵箱：jwluo@semi.ac.cn

電話：010-82304019

中國科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室

使命定位：實驗室面向半導(dǎo)體光電領(lǐng)域需求，開展基礎(chǔ)理論、新材料與高端芯片研究，突破單晶、外延、激光器、功率器件、集成電路等核心技術(shù)，構(gòu)建自主創(chuàng)新體系，培養(yǎng)領(lǐng)軍人才，推動研用協(xié)同與學(xué)科融合，為技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級提供科技支撐。

特色成果：本實驗室是國內(nèi)唯一覆蓋GaN、GaAs、InP、InAs、GaSb、SiC和金剛石多材料體系，實現(xiàn)紫外至長波紅外激光器的研究平臺。國內(nèi)率先開展光子晶體、量子級聯(lián)及氮化物激光器研究，保持國際先進(jìn)水平。獲國家級、省部級獎勵10余項，彰顯了在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位與貢獻(xiàn)。

聯(lián)系人：齊愛誼

郵箱：qiaiyi@semi.ac.cn

電話：010-82304482

六、申請程序

1.歡迎來電來信咨詢，并將簡歷及代表性成果于2025年9月1日前發(fā)送至半導(dǎo)體研究所人事教育處hr@semi.ac.cn 。

2.通過與半導(dǎo)體研究所簽訂工作意向協(xié)議書，依托半導(dǎo)體研究所申報國家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項目。

七、聯(lián)系方式

地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號（郵編：100083）中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所人事教育處

聯(lián)系人：吳老師、徐老師

郵箱：hr@semi.ac.cn

電話：86-10-82304192，86-10-82304307

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