張江實(shí)驗(yàn)室是國家級新型科研事業(yè)單位,開展戰(zhàn)略性、前瞻性、基礎(chǔ)性、帶動(dòng)性重大科學(xué)問題和關(guān)鍵核心技術(shù)研究;以重大科技攻關(guān)和國家重大科技基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)為主線,努力打造突破型、引領(lǐng)型、平臺(tái)型一體化的國家戰(zhàn)略科技力量。

張江實(shí)驗(yàn)室聚焦光子前沿技術(shù)與應(yīng)用、微納電子前沿技術(shù)與應(yīng)用、光子微納電子交叉前沿等領(lǐng)域方向,通過重大科技攻關(guān),匯聚各類優(yōu)勢資源,大力推進(jìn)高水平科技人才隊(duì)伍建設(shè)。已構(gòu)建了一批由知名專家學(xué)者領(lǐng)銜,中青年優(yōu)秀人才為骨干的科技攻關(guān)團(tuán)隊(duì)，一線科技團(tuán)隊(duì)成員主要來自國內(nèi)外知名科研機(jī)構(gòu)、高水平研究型大學(xué)和科技領(lǐng)軍企業(yè)。隨著重大科技任務(wù)推進(jìn)、重大研發(fā)平臺(tái)建設(shè)和事業(yè)發(fā)展,我們熱忱歡迎廣大專家學(xué)者、行業(yè)精英和青年才俊加盟。

一、研究領(lǐng)域

01、精密光學(xué)系統(tǒng)研究

研發(fā)重點(diǎn):開展高精密光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)計(jì)仿真、光學(xué)元件制造、微納制造工藝、光學(xué)檢測測量、光學(xué)裝調(diào)與環(huán)境控制、新光源技術(shù)和光學(xué)關(guān)算法的研究。

招聘方向:光學(xué)設(shè)計(jì)、光學(xué)制造、微納工藝、光檢測與測量、光學(xué)裝調(diào)與算法。

02、加速器物理與技術(shù)

研發(fā)重點(diǎn):基于加速器的高功率光源,開展能回收直線加速器(ERL)光源的物理設(shè)計(jì)與關(guān)鍵術(shù)研發(fā)、全相干儲(chǔ)存環(huán)光源的物理設(shè)計(jì)等研究。招聘方向:加速器總體、束流物理、微波電子、光陰極材料、高功率光纖激光、超快激光、飛秒步、超導(dǎo)射頻、超導(dǎo)材料、超導(dǎo)磁鐵和插入件等面的設(shè)計(jì)、研制與測試。

03、微納制造技術(shù)

研發(fā)重點(diǎn):圍繞微納器件制造,開展計(jì)算光刻、自組裝制造、三維增材制造、原子制造等新原理、新方法、新工藝、新器件研究。

招聘方向:高分辨微納光刻技術(shù)、刻蝕技術(shù)、微納加工工藝、良率提升技術(shù)、新型半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)等。

04、先進(jìn)半導(dǎo)體材料

研發(fā)重點(diǎn):圍繞光刻技術(shù)發(fā)展對先進(jìn)光刻材料的需求,開展新型高性能材料、先進(jìn)光刻工藝等研究。

招聘方向:高分子合成與表征、樹脂設(shè)計(jì)及合成、高純電子化學(xué)品純化、小分子材料合成、光刻材料配方工藝、薄膜材料先進(jìn)表征、材料計(jì)算化學(xué)。

05、精密測量技術(shù)

研發(fā)重點(diǎn):面向晶圓級量檢測需求,開發(fā)微納器件量檢測新技術(shù)和新設(shè)備,發(fā)展三維精細(xì)結(jié)構(gòu)無損測量新方法,實(shí)現(xiàn)人工智能技術(shù)與先進(jìn)設(shè)備的集成應(yīng)用。

招聘方向:微納結(jié)構(gòu)測量技術(shù)、摻雜三維表征技術(shù)、智能分析算法開發(fā)、融合檢測技術(shù)、系統(tǒng)集成技術(shù)。

06、光電融合創(chuàng)新技術(shù)

研發(fā)重點(diǎn):開展硅光芯片設(shè)計(jì)與制造、光電異質(zhì)集成新材料新工藝新器件新原理、光電協(xié)同設(shè)計(jì)與三維集成、光計(jì)算/光互連/光交換應(yīng)用探索等研究,推動(dòng)集成光電子器件和系統(tǒng)功能擴(kuò)展、性能升級。

招聘方向:集成光電子器件、硅光設(shè)計(jì)與工藝光電新材料異質(zhì)集成技術(shù)、光互連與光計(jì)算技術(shù)。

07、后摩爾新材料新器件與集成技術(shù)

研發(fā)重點(diǎn):開展晶圓級三維集成工藝、先進(jìn)封裝技術(shù)、三維堆疊互聯(lián)技術(shù)、芯片可測試性可靠性優(yōu)化和芯片散熱技術(shù)等領(lǐng)域研究工作。開展面向三維堆疊的存算融合、類腦計(jì)算、概率計(jì)算和面向人工智能的高并行計(jì)算等新型架構(gòu)研究及電路設(shè)計(jì)。

招聘方向:三維集成技術(shù)、新型計(jì)算架構(gòu)與電路、后摩爾新器件。

08、新型半導(dǎo)體器件研究

研發(fā)重點(diǎn):開展憶阻器、鐵電存儲(chǔ)器、負(fù)電容低溫CMOS等新型器件研究及電路設(shè)計(jì)。開發(fā)先進(jìn)存儲(chǔ)器件和二維半導(dǎo)體器件，發(fā)展先進(jìn)集成芯片的薄膜和鍵合工藝。

招聘方向:先進(jìn)存儲(chǔ)器件、二維半導(dǎo)體器件、先進(jìn)封裝工藝、半導(dǎo)體器件可靠性表征、TCAD多物理場仿真、DTCO。

二、應(yīng)聘要求

1.獲得博士學(xué)位不超過3年或即將獲得博士學(xué)位。

2.原則上年齡不超過35周歲。

3.具有扎實(shí)的研究基礎(chǔ)和較強(qiáng)的科研能力,嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度和團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神。

三、發(fā)展條件

1.實(shí)驗(yàn)室為在站博士后提供充足的科研經(jīng)費(fèi)支持,依托實(shí)驗(yàn)室科技攻關(guān)任務(wù)設(shè)計(jì)博士后研究課題,實(shí)行以崗位工作目標(biāo)為導(dǎo)向的考核評價(jià)機(jī)制。

2.實(shí)驗(yàn)室實(shí)行任務(wù)崗位序列和專業(yè)技術(shù)職務(wù)序列并行的雙軌制職業(yè)發(fā)展通道,積極支持在站博士后承擔(dān)實(shí)驗(yàn)室重要科技攻關(guān)項(xiàng)目，已有多名在站博士后擔(dān)任攻關(guān)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人或課題負(fù)責(zé)人。實(shí)驗(yàn)室博士后納入專業(yè)技術(shù)職務(wù)評審范圍，在站期間可參評副高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)。

3.實(shí)驗(yàn)室鼓勵(lì)在站博士后申請國家和上海市各類博士后項(xiàng)目,包括國家博士后創(chuàng)新人才支持計(jì)劃、國家博士后科學(xué)基金(特別資助、面上資助)、國家博士后引進(jìn)和派出專項(xiàng)、“上海市超級博士后”激勵(lì)計(jì)劃、浦東新區(qū)博士后創(chuàng)新發(fā)展資助等。

4.實(shí)驗(yàn)室支持在站博士后參加國內(nèi)外高級別學(xué)術(shù)交流活動(dòng),支持在站博士后擔(dān)任實(shí)驗(yàn)室專項(xiàng)博士生科研實(shí)踐導(dǎo)師。

四、在站待遇和福利

1.提供具有競爭力的薪酬待遇，入站博士后年收入40萬元起。

2.博士后納入職工福利體系保障范圍,包括補(bǔ)充醫(yī)療保險(xiǎn)、補(bǔ)充公積金、子女就學(xué)和入站落戶等。實(shí)驗(yàn)室可協(xié)調(diào)園區(qū)周邊保障性租賃住房實(shí)現(xiàn)入站博士后拎包入住、即來即住、優(yōu)惠入住。

3.博士后實(shí)行3年在站聘期制,出站優(yōu)先錄用至實(shí)驗(yàn)室事業(yè)編制聘用科研崗位。博士后出站留任實(shí)驗(yàn)室工作或在浦東新區(qū)工作的可再享受區(qū)級就業(yè)資助10萬元。

五、應(yīng)聘方式

申請者請將個(gè)人簡歷發(fā)送至hr@zjlab.ac.cn(郵件主題請標(biāo)明“姓名十畢業(yè)院校/工作單位+博士后申請”)

信息來源于網(wǎng)絡(luò)，如有變更請以原發(fā)布者為準(zhǔn)。

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